A wafer testing apparatus comprises a sample chuck having a flat surface
for supporting a test wafer positioned thereon, the sample chuck having a
base structure manufactured of a conductive metal and having a
semiconductor layer secured to the base structure defining the flat
surface of the sample chuck, an electrical test probe establishing a
correction factor corresponding to a location on the semiconductor layer
surface to be used to report an electrical property at a location on a
test wafer substantially unaffected by the electrical properties of the
semiconductor layer and base structure below that location.
Un appareillage d'essai de gaufrette comporte un mandrin témoin ayant une surface plate pour soutenir une gaufrette d'essai placée là-dessus, le mandrin témoin ayant une structure basse construite d'un métal conducteur et ayant une couche de semi-conducteur fixée à la structure basse définissant la surface plate du mandrin témoin, une sonde électrique d'essai établissant un facteur de correction correspondant à un endroit sur la surface de couche de semi-conducteur à employer pour rapporter une propriété électrique à un endroit sur une gaufrette d'essai essentiellement inchangée par les propriétés électriques de la structure de couche et de base de semi-conducteur au-dessous de cet endroit.
