A synchronous flash memory includes an array of non-volatile memory cells.
The memory array is arranged in rows and columns, and can be further
arranged in addressable blocks. Data communication connections are used
for bi-directional data communication with an external device(s), such as
a processor or other memory controller. A write latch is coupled between
the data buffer and the memory array to latch data provided on the data
communication connections. The memory can write data to one location, such
as a memory array block, while data is read from a second location, such
as a second memory array block. The write and read operations are
performed on a common addressable row of the array blocks.
Une mémoire instantanée synchrone inclut un choix de cellules de mémoire non-volatile. La rangée de mémoire est arrangée dans les rangées et les colonnes, et peut être encore arrangée dans les blocs accessibles. Des raccordements de communication de données sont employés pour la communication de données bi-directionnelle avec un device(s) externe, tel qu'un processeur ou tout autre contrôleur de mémoire. Un verrou d'inscription est couplé entre l'amortisseur de données et la rangée de mémoire pour verrouiller des données fournies sur les raccordements de communication de données. La mémoire peut écrire des données à un endroit, tel qu'un bloc de rangée de mémoire, alors que des données sont lues d'un deuxième endroit, tel qu'un deuxième bloc de rangée de mémoire. L'inscription et les opérations "lecture" sont effectuées sur une rangée accessible commune des blocs de rangée.
