There is provided a positive photoresist for near-field exposure excellent
in light utilization efficiency even with small layer thickness of the
photoresist layer for image formation, and allowing for reduced pattern
edge roughness, and a photolithography method including a step of exposing
by the near-field exposure the photoresist layer for image formation made
thereof. In a positive photoresist containing an alkali-soluble novolak
resin and a quinone diazide compound, the film thickness of the
photoresist at the time of exposure is not larger than 100 nm, and the
absorption coefficient of the photoresist .alpha. (.mu.m.sup.-1) for the
exposure light is such that 0.5.ltoreq..alpha..ltoreq.7.
On donne un vernis photosensible positif pour l'exposition de proche-champ excellente dans l'efficacité légère d'utilisation même en petite épaisseur de couche de la couche de vernis photosensible pour la formation d'image, et de tenir compte de la rugosité réduite de bord de modèle, et d'une méthode de photolithographie comprenant une étape d'exposer par l'exposition de proche-champ la couche de vernis photosensible pour la formation d'image faite en. Dans un vernis photosensible positif contenant une résine soluble dans l'alcali de novolak et un composé de diazide de quinone, l'épaisseur de film du vernis photosensible à l'heure de l'exposition n'est pas plus grande que 100 nm, et le coefficient d'absorption de l'alpha de vernis photosensible. (mu.m.sup.-1) pour la lumière d'exposition est tel que 0.5.ltoreq..alpha..ltoreq.7.
