To plasma-process a substrate having a large area uniformly at a high
process speed to form a deposition film with uniform thickness and quality
and favorable characteristics. A first high frequency power (with a
frequency f1 and a power P1) and a second high frequency power (with a
frequency f2 and a power P2) supplied to an electrode from a first high
frequency power supply and a second high frequency power supply,
respectively, are set so that the frequencies are equal to or higher than
10 MHz and equal to or lower than 250 MHz, a ratio of the frequency f2 to
the frequency f1 (f2/f1) is equal to or higher than 0.1 and equal to or
lower than 0.9, and a ratio of the power P2 to a total power (P1+P2) is
equal to or higher than 0.1 and equal to or lower than 0.9. The frequency
f2 is changed during processing the substrate.
Filmen Plasma-Prozeß ein Substrat, das einen großen Bereich gleichmäßig mit einer hohen Prozeßgeschwindigkeit, zum einer Absetzung zu bilden hat, mit konstanter Stärke und Qualität und vorteilhafte Eigenschaften. Eine erste Hochfrequenzenergie (mit einer Frequenz f1 und eine Energie P1) und eine zweite Hochfrequenzenergie (mit einer Frequenz F2 und eine Energie P2) geliefert an eine Elektrode von einem ersten Hochfrequenzspg.Versorgungsteil und ein zweites Hochfrequenzspg.Versorgungsteil beziehungsweise werden eingestellt, damit die Frequenzen gleich oder stark als 10 MHZ sind und zu entsprechen oder senken als 250 MHZ, ein Verhältnis der Frequenz F2 zur Frequenz f1 (f2/f1) ist gleich oder stark als 0.1 und Gleichgestelltes zu oder niedrig als 0.9, und ein Verhältnis der Energie P2 zu einer Gesamtenergie (P1+P2) ist gleich zu oder stark als 0.1 und Gleichgestelltes zu oder senken als 0.9. Die Frequenz F2 wird während der Verarbeitung des Substrates geändert.
