Assymmetric distributed Bragg reflector for vertical cavity surface emitting lasers

   
   

An asymmetric distributed Bragg reflector (DBR) suitable for use in vertical cavity surface emitting lasers. The asymmetric DBR is comprised of stacked material layers having different indexes of refraction that are joined using asymmetrical transition regions in which the transition steps within a transition region have different material compositions, different doping levels, and different layer thicknesses. Adjacent transition regions have different transition steps. Thinner transition regions are relatively highly doped and are located where the optical standing wave within the DBR has a low field strength. Thicker transition regions are relatively lightly doped and are located where the optical standing wave has a relatively high field strength. Beneficially, in the Al.sub.X Ga.sub.(1-X) As material system the stacked material layers are alternating layers of AlAs and GaAs. Other material systems will use other alternating layers.

Un réflecteur distribué asymétrique de Bragg (DBR) approprié pour l'usage dans des lasers d'émission extérieurs de cavité verticale. Le DBR asymétrique est composé des couches matérielles empilées ayant de différents indices de réfraction qui sont joints en utilisant les régions asymétriques de transition dans lesquelles les étapes de transition dans une région de transition ont différentes compositions matérielles, différents niveaux enduisants, et différentes épaisseurs de couche. Les régions limitrophes de transition ont différentes étapes de transition. Des régions plus minces de transition sont relativement fortement enduites et sont localisées où la vague optique de position dans le DBR a une basse force de champ. Des régions plus épaisses de transition sont relativement légèrement enduites et sont localisées où la vague optique de position a une résistance relativement haute de champ. Avantageusement, dans l'Al.sub.X Ga.sub.(1-X) en tant que système matériel les couches matérielles empilées alternent des couches de hélas et la GaAs. D'autres systèmes matériels emploieront d'autres couches alternatives.

 
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