Electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof

   
   

An electron emissive composition comprises a barium tantalate composition of the formula (Ba.sub.1-x, Ca.sub.x, Sr.sub.p, D.sub.q).sub.6 (Ta.sub.1-y, W.sub.y, E.sub.t, F.sub.u, G.sub.v, Ca.sub.w).sub.2 O.sub.(11.+-..delta.) where .delta. is an amount of about 0 to about -3; and wherein D is either an alkali earth metal ion or an alkaline earth ion; E, F, and G, are alkaline earth ions and/or transition metal ion; x is an amount of up to about 0.7; y is an amount of up to about 1; p and q are amounts of up to about 0.3; and t is an amount of about 0.05 to about 0.10, u is an amount of up to about 0.5, v is an amount of up to about 0.5 and w is an amount of up to about 0.25. A method for manufacturing an electron emissive composition comprises blending a barium tantalate composition with a binder; and sintering the barium tantalate composition with the binder at a temperature of about 1000.degree. C. to about 1700.degree. C.

Состав электрона emissive состоит из состава tantalate бария формулы (Ba.sub.1-x, Ca.sub.x, Sr.sub.p, D.sub.q).sub.6 (Ta.sub.1-y, W.sub.y, E.sub.t, F.sub.u, G.sub.v, Ca.sub.w).sub.2 O.sub.(11.+-..delta.) где delta. количество около 0 до около -3; и при котором д будет или ионом металла земли алкалиа или ионом алкалической земли; Е, ф, и г, будут ионами алкалической земли and/or ионом металла перехода; x будет количеством до около 0.7; ы будет количество до около 1; п и ц будут количество до около 0.3; и т будет количество около 0.05 до около 0.10, у будет количество до около 0.5, в будет количество до около 0.5 и ш будет количество до около 0.25. Метод для изготовлять состав электрона emissive состоит из смешивать состав tantalate бария с связывателем; и спекающ состав tantalate бария с связывателем на температуре около 1000.degree. C к около 1700.degree. Ч.

 
Web www.patentalert.com

< Method and structure for a slug pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch

< Radiation detecting apparatus and radiographing system using it

> Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer

> Control of leachable mercury in mercury vapor discharge lamps

~ 00158