The invention relates to a device and method for depositing one or more
layers onto at least one substrate placed inside a reaction chamber. The
layers are deposited while using a liquid or solid starting material for
one of the reaction gases utilized, which are fed via a gas admission unit
to the reaction chamber where they condense or epitaxially grow on the
substrate. The gas admission unit comprises a multitude of buffer volumes
in which the reaction gasses enter separate of one another, and exit
through closely arranged outlet openings while also being spatially
separate of one another. The temperature of reaction gases is moderated
while passing through the gas admission unit.
Вымысел относит к приспособлению и методу для депозировать one or more слои на по крайней мере один субстрат помещенный внутри камеры реакции. Депозированы слои пока использующ жидкость или твердый первоначальный материал для одного из использованных газов реакции, которые поданы через блок допущения газа к камере реакции где они конденсируют или эпитаксиально растут на субстрате. Блок допущения газа состоит из multitude томов буфера в газы реакции регистрируют отдельно одного другое, и выходит через близко аранжированные отверстия выхода пока также был spatially отдельно одного другое. Умерена температура газов реакции пока проходящ через блок допущения газа.
