A method and an apparatus for measuring a step difference in a
semiconductor device without making contact with the semiconductor device.
A first beam is radiated onto a wafer so as to form a first focus on a
first portion of the wafer, and a second beam is radiated onto the wafer
so as to form a second focus on a second portion of the wafer. The step
difference between the first portion and the second portion of the wafer
is measured by calculating a vertical displacement distance of the wafer
and a beam focusing device used to attain the first focus and the second
focus.
Een methode en een apparaat om een stapverschil in een halfgeleiderapparaat te meten zonder contact met het halfgeleiderapparaat op te nemen. Een eerste straal wordt uitgestraald op een wafeltje om een eerste nadruk op een eerste gedeelte van het wafeltje te vormen, en een tweede straal wordt uitgestraald op het wafeltje om een tweede nadruk op een tweede gedeelte van het wafeltje te vormen. Het stapverschil tussen het eerste gedeelte en het tweede gedeelte van het wafeltje wordt door een verticale verplaatsingsafstand te berekenen die van het wafeltje en een straal gemeten apparaat concentreert dat wordt gebruikt om de eerste nadruk en de tweede nadruk te bereiken.
