The invention relates to a method for producing silane (SiH.sub.4) by a)
reacting metallurgical silicon with silicon tetrachloride (SiCl.sub.4) and
hydrogen (H.sub.2), to form a crude gas stream containing trichlorosilane
(SiHCl.sub.3) and silicon tetrachloride (SiCl.sub.4), b) removing
impurities from the resulting crude gas stream by washing with condensed
chlorosilanes, c) condensing and subsequently, separating the purified
crude gas stream by distillation, d) returning the partial stream
consisting essentially of SiCl.sub.4 to the reaction of metallurgical
silicon with SiCl.sub.4 and H.sub.2, e) disproportionating the partial
stream containing SiHCl.sub.3, to form SiCl.sub.4 and SiH.sub.4 and f)
returning the SiH.sub.4 formed by disproportionation to the reaction of
metallurgical silicon with SiCl.sub.4 and H.sub.2, the crude gas stream
containing trichlorosilane and silicon tetrachloride being liberated from
solids as far as possible by gas filtration before being washed with the
condensed chlorosilanes. The washing process with the condensed
chlorosilanes is carried out at a pressure of 25 to 40 bar and at a
temperature of at least 150.degree. C. in a single-stage distillation
column and is carried out in such a way that 0.1 to 3 wt. % of the crude
gas stream containing trichlorosilane and silicon tetrachloride is
recovered in the form of a condensed liquid phase consisting essentially
of SiCl.sub.4, this liquid phase then being removed from the SiCl.sub.4
circuit and expanded to a pressure of 1 bar outside said SiCl.sub.4
circuit and cooled to a temperature of 10 to 40.degree. C., whereby
dissolved impurities separate out and are then removed by filtration.
L'invenzione riguarda un metodo per produrre il silano (SiH.sub.4) a) reagendo il silicone metallurgico con il tetracloruro del silicone (SiCl.sub.4) ed idrogeno (H.sub.2), per formare un flusso grezzo del gas che contiene il trichlorosilane (SiHCl.sub.3) e tetracloruro del silicone (SiCl.sub.4), b) rimuovendo le impurità dal flusso grezzo risultante del gas lavandosi con i chlorosilanes condensati, c) condensando e successivamente, separando il flusso grezzo purificato del gas tramite la distillazione, d) restituendo il flusso parziale che è costituito essenzialmente da SiCl.sub.4 alla reazione di silicone metallurgico con SiCl.sub.4 e H.sub.2, e) disproportionating il flusso parziale che contiene SiHCl.sub.3, alla forma SiCl.sub.4 e SiH.sub.4 e la f) che restituiscono i SiH.sub.4 formato dal disproportionation alla reazione di silicone metallurgico con SiCl.sub.4 e H.sub.2, del flusso grezzo del gas che contiene trichlorosilane ed il tetracloruro del silicone che sono liberati dai solidi il più distante possibile tramite la filtrazione del gas prima del lavaggio con i chlorosilanes condensati. Il processo di lavaggio con i chlorosilanes condensati è effettuato ad una pressione della barra 25 - 40 e ad una temperatura almeno di 150.degree. Il C. in una colonna ad un solo stadio di distillazione ed è effettuato im modo tale che 0.1 - 3 pesi % del flusso grezzo del gas che contiene il tetracloruro del silicone e del trichlorosilane sono recuperati sotto forma d'una fase liquida condensata che è costituita essenzialmente da SiCl.sub.4, questa fase liquida allora che è rimosso dal circuito SiCl.sub.4 ed espanso ad una pressione di 1 detto circuito SiCl.sub.4 della barra parte esterna e raffreddato ad una temperatura di 10 a 40.degree. C., per cui le impurità dissolte separano fuori ed allora sono rimosse tramite filtrazione.
