The invention relates to a ball-limiting metallurgy stack for an electrical
device that contains at least one copper layer disposed upon a Ti adhesion
metal layer. The ball-limiting metallurgy stack resists Sn migration
toward the upper metallization of the device.
A invenção relaciona-se a uma pilha esfera-limitando do metallurgy para um dispositivo elétrico que contenha ao menos uma camada de cobre disposta em cima de uma camada do metal da adesão do ti. A pilha esfera-limitando do metallurgy resiste a migração do sn para o metallization superior do dispositivo.
