Disclosed is a semiconductor device which has a semiconductor chip; a base
metal lead frame with no residual of a rustproof film, including a die pad
mounted with said semiconductor chip, and a plurality of leads disposed so
that inner ends of said leads are positioned along the periphery of said
die pad, copper wires to directly connect electrodes on said semiconductor
chip to the inner ends of said plurality of leads; and a resin molded
member to hermetically seal said semiconductor chip, a large proportion of
said lead frame and said copper wires; wherein an initial detachment area
of said resin molded member at the bottom side of the die pad is 20% or
less to the whole die pad area.
Gegeben ein Halbleiterelement frei, das einen Halbleiterspan hat; ein Metallleitung Rahmen ohne Rückstand eines nichtrostenden Filmes, einschließlich eine Würfelauflage, die mit besagtem Halbleiterspan angebracht wurde, und eine Mehrzahl der Leitungen schufen, damit innere Enden der besagten Leitungen entlang die Peripherie der besagten Würfelauflage in Position gebracht werden, kupferne Leitungen ab, Elektroden auf besagtem Halbleiterspan an die inneren Enden der besagten Mehrzahl der Leitungen direkt anzuschließen; und ein Harz formte Mitglied, um besagten Halbleiterspan, einen großen Anteil besagtem Leitung Rahmen und besagte kupferne Leitungen hermetisch zu versiegeln; worin ein Ausgangstrennungbereich des besagtes Harz geformten Mitgliedes an der unteren Seite der Würfelauflage 20% oder kleiner zum Ganzwürfel-Auflagebereich ist.
