A photodiode array comprises a semiconductor substrate formed with an array
of a plurality of pn junction type photodiodes on a light incident surface
side, the surface opposite from the incident surface in the semiconductor
substrate being made of a (100) plane; a through hole, formed in an area
held between the photodiodes, penetrating through the semiconductor
substrate from the incident surface side to the opposite surface side; and
a conductive layer extending from the incident surface to the opposite
surface by way of a wall surface of the through hole; the through hole
being formed by connecting a vertical hole part formed substantially
perpendicular to the incident surface on the incident surface side, and a
pyramidal hole part formed like a quadrangular pyramid on the opposite
surface side to each other within the semiconductor substrate; the
pyramidal hole part having a wall surface formed as a (111) plane.
Uma disposição do fotodiodo compreende uma carcaça do semicondutor dada forma com uma disposição de um plurality do tipo fotodiodos da junção do pn em um lado claro da superfície do incident, a superfície oposta da superfície do incident na carcaça do semicondutor que está sendo feita do plano de a (100); a através do furo, dado forma em uma área prendeu entre os fotodiodos, penetrando através da carcaça do semicondutor do lado da superfície do incident ao lado de superfície oposto; e uma camada condutora que estende da superfície do incident à superfície oposta por uma superfície da parede do furo direto; o furo direto que estão sendo dados forma conectando perpendicular dado forma do furo parte vertical um substancialmente à superfície do incident no lado da superfície do incident, e uma peça pyramidal do furo deram forma como uma pirâmide quadrangular no lado de superfície oposto a se dentro da carcaça do semicondutor; peça pyramidal do furo que tem uma superfície da parede dada forma como o plano de a (a 111).
