Photoresists and associated processes for microlithography in the extreme,
far, and near UV are disclosed. The photoresists in some embodiments
comprise (a) a fluorine-containing copolymer derived from at least one
polycyclic ethylenically unsaturated compound and at least one compound
having at least one fluorine atom covalently attached to an ethylenically
unsaturated carbon atom; and (b) at least one photoactive component. In
other embodiments, the photoresists comprise a fluorine-containing
copolymer derived from at least one polycyclic ethylenically unsaturated
compound having at least one atom or group covalently attached to a carbon
atom contained within a ring structure and separated from each
ethylenically unsaturated carbon atom of the ethylenically unsaturated
compound by at least one covalently attached carbon atom, wherein the atom
or group is selected from the group consisting of fluorine perfluoroalkyl
and perfluoroalkoxy.
Photoresists και οι σχετικές διαδικασίες για το microlithography στον ακραίο, μακριά, και κοντινό το UV αποκαλύπτονται. Photoresists σε μερικές ενσωματώσεις περιλαμβάνουν (α) fluorine-containing copolymer που προέρχεται από τουλάχιστον μια πολυκυκλική αιθυλενικά ακόρεστη ένωση και τουλάχιστον μια ένωση που έχει τουλάχιστον ένα άτομο φθορίου συνδέθηκε covalently με ένα αιθυλενικά ακόρεστο άτομο άνθρακα και (β) τουλάχιστον ένα photoactive συστατικό. Σε άλλες ενσωματώσεις, photoresists περιλαμβάνουν fluorine-containing copolymer που προέρχεται από τουλάχιστον μια πολυκυκλική αιθυλενικά ακόρεστη ένωση που έχει τουλάχιστον ένα άτομο ή την ομάδα που συνδέεται covalently ένα άτομο άνθρακα που περιλαμβάνεται με μέσα σε μια δομή δαχτυλιδιών και που χωρίζεται από κάθε αιθυλενικά ακόρεστο άτομο άνθρακα της αιθυλενικά ακόρεστης ένωσης από τουλάχιστον ένα covalently συνημμένο άτομο άνθρακα, όπου το άτομο ή η ομάδα επιλέγεται από την ομάδα που αποτελείται από το perfluoroalkyl και το perfluoroalkoxy φθορίου.
