A semiconductor device and a method for preparing the same that can solve
crack of a semiconductor film, capacitance electrodes and the like due to
stress when forming a source electrode and a drain electrode in a
semiconductor device having a thin film transistor and a holding
capacitance with three or more capacitance electrodes is provided. Before
forming the source electrode and the drain electrode, a crystalline
silicon film for relaxing the stress is formed, then a contact hole
connecting to the semiconductor film of the thin film transistor is
opened, and a metal film to be the source electrode and the drain
electrode is formed.
Un dispositivo a semiconduttore e un metodo per la preparazione dello stesso che possano risolvere la crepa di una pellicola a semiconduttore, elettrodi di capacità e simili dovuto lo sforzo quando forma un elettrodo di fonte e un elettrodo dello scolo in un dispositivo a semiconduttore che ha un transistore della pellicola sottile e una capacità della tenuta con tre o più elettrodi di capacità sono forniti. Prima di formare l'elettrodo di fonte e l'elettrodo dello scolo, una pellicola cristallina del silicone per la distensione dello sforzo è formata, quindi un foro del contatto che collega alla pellicola a semiconduttore del transistore della pellicola sottile è aperto e una pellicola del metallo da essere l'elettrodo di fonte e l'elettrodo dello scolo è formata.
