Light emitting device

   
   

An objective is to increase the reliability of a light emitting device structured by combining TFTs and organic light emitting elements. A TFT (1201) and an organic light emitting element (1202) are formed on the same substrate (1203) as structuring elements of a light emitting device (1200). A first insulating film (1205) which functions as a blocking layer is formed on the substrate (1203) side of the TFT (1201), and a second insulating film (1206) is formed on the opposite upper layer side as a protective film. In addition, a third insulating film (1207) which functions as a barrier film is formed on the lower layer side of the organic light emitting element (1202). The third insulating film (1207) is formed by an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an aluminum nitride film, an aluminum oxide film, or an aluminum oxynitride film. A fourth insulating film (1208) and a partitioning layer (1209) formed on the upper layer side of the organic light emitting element (1202) are formed using similar inorganic insulating films.

Un objetivo es aumentar la confiabilidad de un dispositivo que emite ligero estructurado combinando TFTs y la luz orgánica que emiten elementos. Un TFT (1201) y un elemento que emite ligero orgánico (1202) se forman en el mismo substrato (1203) que elementos de estructuración de un dispositivo que emite ligero (1200). Una primera película aislador (1205) que funcionan mientras que una capa de bloqueo se forma en los 1203) lados del substrato (del TFT (1201), y una segunda película aislador (1206) se forma en el lado superior opuesto de la capa como película protectora. Además, una tercera película aislador (1207) que funcionan mientras que una película de la barrera se forma en el lado más bajo de la capa del elemento que emite ligero orgánico (1202). La tercera película aislador (1207) es formada por una película aislador inorgánica tal como una película del nitruro de silicio, una película del oxynitride del silicio, una película de aluminio del nitruro, una película del óxido de aluminio, o una película de aluminio del oxynitride. Se forman una cuarta película aislador (1208) y una capa que repartía (1209) formaron en el lado superior de la capa del elemento que emitía ligero orgánico (1202) usando las películas aisladores inorgánicas similares.

 
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< Light-emission drive circuit for organic electroluminescence element and display device

< Blue electroluminescent polymer and organic electroluminescence device using the same

> Providing an emission-protecting layer in an OLED device

> Implantation for the formation of CuX layer in an organic memory device

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