A magnetic memory device includes a memory cell array block and a reference
memory cell array block having a plurality of magnetic memory cells
arranged, respectively, at intersections of wordlines, digit lines, and
bitlines, and reference wordlines, the digit lines, and a reference
bitline, a first bitline clamp circuit coupled to a bitline to which a
first selected magnetic memory cell is connected and supplying a first
current to the first selected magnetic memory cell through the bitline,
second and third bitline clamp circuits coupled to respective upper and
lower ends of the reference bitline, for supplying a second current to
selected magnetic memory cells in the reference memory cell array block
through the reference bitline, and a sense amplifier for sensing and
amplifying currents on first and second data lines, respectively connected
to the bitline and the reference bitline, to judge data of the first
selected magnetic memory cell.
Ein magnetisches größtintegriertes Speicherbauelement schließt einen Speicherzelle Reihe Block und ein Bezugsspeicherzelle Reihe Block ein, die eine Mehrzahl von der magnetischen Speicherzellen hat, die geordnet werden, beziehungsweise an den Durchschnitten von der wordlines, der Stelle Linien und der bitlines und der Bezugswordlines, der Stelle Linien und des Bezugsbitline, ein erster bitline Klemmplatte Stromkreis, der zu einem bitline verbunden wird, an das eine zuerst vorgewählte magnetische Speicherzelle angeschlossen liefernd ist und einen ersten Strom an die zuerst vorgewählte magnetische Speicherzelle durch das bitline, die zweiten und dritten bitline Klemmplatte Stromkreise, die verbunden werden zu den jeweiligen oberen und untereren Enden des Bezugsbitline, für das Liefern eines zweiten Stromes an vorgewählte magnetische Speicherzellen in der Bezugsspeicherzelle Reihe Block durch das Bezugsbitline und ein Richtung Verstärker für die abfragenund verstärkenströme an zuerst und zweite Datenleitungen, beziehungsweise angeschlossen an das bitline und das Bezugsbitline, um Daten der zuerst vorgewählten magnetischen Speicherzelle zu beurteilen.
