This invention relates to semiconductor devices, microelectronic devices,
microelectromechanical devices, microfluidic devices, photonic devices,
and more particularly to a multi-tiered lithographic template, a method of
forming the multi-tiered lithographic template and a method for forming
devices with the multi-tiered lithographic template. The multi-tiered
lithographic template (10/10') is formed having a first relief structure
and a second relief structure, thereby defining a multi-tiered relief
image. The template is used in the fabrication of a semiconductor device
(40) for affecting a pattern in device (40) by positioning the template in
close proximity to semiconductor device (40) having a radiation sensitive
material formed thereon and applying a pressure to cause the radiation
sensitive material to flow into the multi-tiered relief image present on
the template. Radiation is then applied through the multi-tiered template
so as to further cure portions of the radiation sensitive material and
further define the pattern in the radiation sensitive material. The
multi-tiered template is then removed to complete fabrication of
semiconductor device (40).
Этот вымысел относит к прибора на полупроводниках, микроэлектронные приспособления, microelectromechanical приспособления, microfluidic приспособления, photonic приспособления, и определенно к мулти-multi-tiered литографскому шаблону, методу формировать мулти-multi-tiered литографский шаблон и методу для формировать приспособления с мулти-multi-tiered литографским шаблоном. Сформирован мулти-multi-tiered литографский шаблон (10/10 ') имеющ первую структуру сброса и вторую структуру сброса, таким образом определяя мулти-multi-tiered изображение сброса. Шаблон использован в изготовлении прибора на полупроводниках (40) для влияния картины в приспособлении (40) путем располагать шаблон в близкой близости к прибора на полупроводниках (40) имея материал радиации чувствительный быть сформированным thereon и придавая давление причинить радиации чувствительный материал к подаче в мулти-multi-tiered изображение сброса присытствыющее на шаблоне. Радиация после этого приложена через мулти-multi-tiered шаблон более далее для того чтобы вылечить части материала радиации чувствительного и более далее определить картину в материале радиации чувствительном. Мулти-multi-tiered шаблон после этого извлекается для того чтобы завершить изготовление прибора на полупроводниках (40).
