A light emitting epi-layer structure contains a temporary substrate of
absorption light type on one side. The other side thereof is then adhered
to a transparent substrate of light absorption free by BCB bonding layer.
After that, the light absorption substrate portion is removed. The
resulted light emitting structure is then patterned to form a connection
channel to connect the first ohmic contact electrode and form an isolation
trench to separate the active layer of the light emitting structure into
two parts. Thereafter, a second ohmic contact electrode on the cladding
layer and a bonding metal layer filled in the first channel and on second
ohmic contact electrode are successively formed. The resulted LED
structure is hence convenient for flip-chip package since two bonding
metal layers have the same altitude.
Eine helle ausstrahlende Epi-layerstruktur enthält ein temporäres Substrat der Absorption Lichtart auf einer Seite. Die andere Seite davon wird dann an einem transparenten Substrat der Lichtabsorption frei durch BCB Abbindenschicht gehaftet. Nach dem wird der Lichtabsorptionsubstratteil entfernt. Die resultierte helle ausstrahlende Struktur patterned dann, um eine Anschlußführung zu bilden, um die erste ohmsche Kontaktelektrode anzuschließen und einen Lokalisierung Graben zu bilden, um die aktive Schicht der hellen ausstrahlenden Struktur in zwei Teile zu trennen. Danach füllte eine zweite ohmsche Kontaktelektrode auf der Umhüllungschicht und einer Abbindenmetallschicht die erste Führung aus und auf zweiter ohmscher Kontaktelektrode werden mehrmals hintereinander gebildet. Die resultierte LED Struktur ist folglich für Leicht schlagenspan Paket bequem, da zwei abbindene Metallschichten die gleiche Höhe haben.
