When a base film of a substrate is formed, for instance, on a scribe line
of a wafer, a quadrangular first inspection pattern is formed in advance,
and when a resist pattern is formed, a second inspection pattern are
formed so as to be on a straight line to the first inspection pattern in
a top plan view. When light is irradiated to a region including the first
inspection pattern and the second inspection pattern and a spectrum is
formed based on the reflected diffracted light, information of a line
width of the second inspection pattern and a pitch of both inspection
patterns is contained therein. In this connection, by preparing in
advance a group of spectra based on various kinds of inspection patterns
according to simulation and by comparing with an actual spectrum, the
most approximate spectrum is selected, and thereby the line width and the
pitch are estimated to evaluate the resist pattern.
Wanneer een basisfilm van een substraat, bijvoorbeeld, op een schrijverslijn van een wafeltje wordt gevormd, wordt een quadrangular eerste inspectiepatroon gevormd vooraf, en wanneer me verzet tegen wordt het patroon gevormd, wordt een tweede inspectiepatroon gevormd om op een rechte lijn aan het eerste inspectiepatroon in een hoogste planmening te zijn. Wanneer het licht aan een gebied met inbegrip van het eerste inspectiepatroon wordt bestraald en het tweede inspectiepatroon en een spectrum gebaseerd op het weerspiegelde gebogen licht worden gevormd, is de informatie van een lijnbreedte van het tweede inspectiepatroon en een hoogte van beide inspectiepatronen daarin bevat. In dit verband, door vooraf voorbereidingen te treffen wordt een groep spectrums die op diverse soorten inspectiepatronen worden gebaseerd volgens simulatie en door met een daadwerkelijk spectrum vergelijkbaar te zijn, het benaderendste spectrum geselecteerd, en daardoor worden de lijnbreedte en de hoogte geschat om te evalueren verzetten zich tegen patroon.
