A semiconductor memory device is provided with a memory cell, at least one
select gate transistor and a circuit. The circuit is configured to rewrite
data in the memory cell by applying a potential difference between the
gate and the source or between the gate and the drain, which is larger
than a power supply voltage. The circuit operates in a first data
programming mode and a second data programming mode. A first command or a
first combination is used for the first data programming mode. A second
command or a second command combination is used for the second data
programming mode. The source line is set to different potentials between
the first data programming mode and the second data programming mode, in a
period when data is rewritten, by using the different command or the
different command combination.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung wird mit einer Speicherzelle, mindestens einem auserwählten Gattertransistor und einem Stromkreis versehen. Der Stromkreis wird zusammengebaut, um Daten in der Speicherzelle neu zu schreiben, indem man einen möglichen Unterschied zwischen dem Gatter und der Quelle oder zwischen dem Gatter und dem Abfluß anwendet, der größer als eine Spg.Versorgungsteilspannung ist. Der Stromkreis funktioniert in einem Programmierungsbetrieb der ersten Daten und in einem Programmierungsbetrieb der zweiten Daten. Ein erster Befehl oder eine erste Kombination wird für den Programmierungsbetrieb der ersten Daten verwendet. Ein zweiter Befehl oder eine zweite Befehl Kombination wird für den Programmierungsbetrieb der zweiten Daten verwendet. Die Quelllinie wird eingestellt auf unterschiedliche Potentiale zwischen den Programmierungsbetrieb der ersten Daten und den Programmierungsbetrieb der zweiten Daten, in einer Periode, wenn Daten neu geschrieben werden, indem man den unterschiedlichen Befehl oder die unterschiedliche Befehl Kombination verwendet.
