A nitride based semiconductor photo-luminescent device has an active layer
having a quantum well structure. The active layer has both a high
dislocation density region and a low dislocation density region that is
lower in dislocation density than the high dislocation density region,
wherein the low dislocation density region includes a current injection
region into which a current is injected, and the active layer is less than
1.times.10.sup.18 cm.sup.-3 in impurity concentration.
Μια βασισμένη στο νιτρίδιο φωτοφωταυγής συσκευή ημιαγωγών έχει ένα ενεργό στρώμα που έχει ένα κβάντο να κτίσει καλά. Το ενεργό στρώμα έχει και μια υψηλή περιοχή πυκνότητας εξάρθρωσης και μια χαμηλή περιοχή πυκνότητας εξάρθρωσης που είναι χαμηλότερη στην πυκνότητα εξάρθρωσης από την υψηλή περιοχή πυκνότητας εξάρθρωσης, όπου η χαμηλή περιοχή πυκνότητας εξάρθρωσης περιλαμβάνει μια τρέχουσα περιοχή εγχύσεων στην οποία ένα ρεύμα εγχέεται, και το ενεργό στρώμα είναι λιγότερο από 1.times.10.sup.18 θμ.σuπ.-3 στη συγκέντρωση ακαθαρσιών.
