A spin valve sensor has an antiparallel (AP) pinned layer structure which
has ferromagnetic first and second AP pinned layers that are separated by
an antiparallel coupling layer. The first and second AP pinned layers are
self-pinned antiparallel with respect to one another without the
assistance of an antiferromagnetic (AFM) pinning layer. The spin valve
sensor further includes an in-stack longitudinal biasing layer structure
which is magnetostatically coupled to the free layer for longitudinally
biasing a magnetic moment of the free layer parallel to an air bearing
surface and parallel to major planes of the layers of the sensor. The only
AFM pinning layer employed is in the biasing layer structure so that when
the magnetic spins of the AFM pinning layer are set the orientations of
the magnetic moments of the AP pinned layer structure are not disturbed.
Un sensore della valvola di rotazione ha una struttura appuntata di strato del antiparallel (AP) che ha primi e secondi strati appuntati AP ferromagnetici che sono separati da uno strato dell'accoppiamento del antiparallel. I primi e secondi strati appuntati AP sono antiparallel auto-appuntato riguardo ad uno un altro senza l'assistenza di un antiferromagnetic (AFM) appuntando lo strato. Il sensore della valvola di rotazione ulteriore include in-impila la struttura influenzante longitudinale di strato che magnetostatically è accoppiata allo strato libero per longitudinalmente influenzare un momento magnetico dello strato libero parallelo ad una superficie del supporto e ad un parallelo dell'aria ai piani importanti degli strati del sensore. L'unico AFM che appunta lo strato impiegato è nella struttura influenzante di strato in moda da quando le rotazioni magnetiche del AFM che appunta lo strato sono regolate non disturbare gli orientamenti dei momenti magnetici della struttura di strato appuntata AP.
