An AMLCD having high fineness and high contrast is realized. First, an
interlayer film is provided on an element electrode, and an opening
portion is formed in the interlayer film. Next, after a first metal layer
is formed, an embedded insulating layer is formed. The embedded insulating
layer is retreated by a means, such as an etch back method, to realize a
state in which only the opening portion is filled with the embedded
insulating layer. By this, electric connection between the element
electrode and a second metal layer becomes possible while keeping the
flatness.
Un AMLCD que tiene alta fineza y alto contraste se observa. Primero, una película de la capa intermediaria se proporciona en un electrodo del elemento, y una porción de la abertura se forma en la película de la capa intermediaria. Después, después de que se forme una primera capa del metal, se forma una capa de aislamiento encajada. La capa de aislamiento encajada es retirada por los medios, tales como un método del grabado de pistas detrás, de realizar un estado en el cual solamente la porción de la abertura se llene de la capa de aislamiento encajada. Por esto, la conexión eléctrica entre el electrodo del elemento y una segunda capa del metal llega a ser posible mientras que guarda la llanura.
