A memory device with multi-bit memory cells and method of making the same
uses self-assembly to provide polymer memory cells on the contacts to a
transistor array. Employing self-assembly produces polymer memory cells at
the precise locations of the contacts of the transistor array. The polymer
memory cells change resistance values in response to electric current
above a specified threshold value. The memory cells retain the resistivity
values over time.
Een geheugenapparaat met de cellen van het multi-beetjegeheugen en methode van het maken het zelfde gebruikt zelf-assemblage om de cellen van het polymeergeheugen op de contacten aan een transistorserie te verstrekken. Het aanwenden van zelf-assemblage produceert de cellen van het polymeergeheugen bij de nauwkeurige plaatsen van de contacten van de transistorserie. De cellen van het polymeergeheugen veranderen weerstandswaarden in antwoord op elektrische stroom boven een gespecificeerde drempelwaarde. De geheugencellen behouden de weerstandsvermogenwaarden in tijd.
