This invention relates to optical metrology tools that are used to evaluate
small measurement areas on a semiconductor wafer, where the measurement
area is surrounded by a material different from the measurement area. In
one embodiment, a probe beam is scanned over the measurement area and the
surrounding material as data is taken at multiple locations. A processor
determines the characteristics of the measurement area by identifying an
extremum value of the measurements which represents the center of the
measurement area. In another embodiment, the processor determines the
characteristics of the sample using a combination of light measured from
within and without the measurement area. The measured data is treated as a
combination of light from both regions and mathematically modeled to
account for both the contribution of the light reflected from the
measurement area and the light reflected from the surrounding material.
Cette invention concerne les outils optiques de métrologie qui sont utilisés pour évaluer de petits secteurs de mesure sur une gaufrette de semi-conducteur, où le secteur de mesure est entouré par un matériel différent du secteur de mesure. Dans une incorporation, un faisceau de sonde est balayé au-dessus du secteur de mesure et du matériel environnant pendant que des données sont prises aux endroits multiples. Un processeur détermine les caractéristiques du secteur de mesure en identifiant une valeur d'extremum des mesures qui représente le centre du secteur de mesure. Dans une autre incorporation, le processeur détermine les caractéristiques de l'échantillon en utilisant une combinaison de lumière mesurée à partir de dans et sans le secteur de mesure. Les données mesurées sont traitées comme une combinaison de la lumière des deux régions et mathématiquement modelée pour expliquer tous les deux que la contribution de la lumière s'est reflétés du secteur de mesure et de la lumière réfléchis du matériel environnant.
