A method of generating an operating condition projection corresponding to a
predetermined lifetime for semiconductor devices is disclosed. The
disclosed method includes collecting lifetime information from a plurality
of semiconductor devices at more than one stress condition by inducing a
predetermined drain-source voltage for each stress condition. The method
also includes determining the median lifetime for semiconductor devices at
each of the stress conditions. Further, the method includes calculating a
lifetime at each stress condition at which a predetermined percentage of
the devices will exceed and extrapolating the lifetime for devices used at
operating conditions.
Μια μέθοδος μια προβολή λειτουργούντος όρου που αντιστοιχεί σε μια προκαθορισμένη διάρκεια ζωής για τις συσκευές ημιαγωγών αποκαλύπτεται. Η αποκαλυπτόμενη μέθοδος περιλαμβάνει τη συλλογή των πληροφοριών διάρκειας ζωής από μια πολλαπλότητα των συσκευών ημιαγωγών σε περισσότερους από έναν όρους πίεσης με την πρόκληση μιας προκαθορισμένης τάσης αγωγός-πηγής για κάθε όρο πίεσης. Η μέθοδος περιλαμβάνει επίσης τον καθορισμό της μεσαίας διάρκειας ζωής για τις συσκευές ημιαγωγών σε κάθε ένας από τους όρους πίεσης. Περαιτέρω, η μέθοδος περιλαμβάνει τον υπολογισμό μιας διάρκειας ζωής σε κάθε όρο πίεσης στον οποίο ένα προκαθορισμένο ποσοστό των συσκευών θα υπερβεί και παρεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής για τις συσκευές που χρησιμοποιούνται στους λειτουργούντες όρους.