There is provided a structure of a pixel TFT (n-channel type TFT) in which
an off current value is sufficiently low. In impurity regions, a
concentration distribution of an impurity element imparting one
conductivity type is made to have a concentration gradient, the
concentration is made low at a side of a channel formation region, and the
concentration is made high at the side of an end portion of a
semiconductor layer.
Se proporciona una estructura de un pixel TFT (tipo TFT del n-canal) en el cual un valor apagado actual sea suficientemente bajo. En regiones de la impureza, una distribución de la concentración de un elemento de la impureza que imparte un tipo de la conductividad se hace para tener un gradiente de la concentración, la concentración se hace punto bajo en un lado de una región de la formación del canal, y la concentración se hace colmo en el lado de una parte periférica de una capa del semiconductor.
