A method of fabricating a III-V heterostructure semiconductor device. The
method includes the steps of forming at least one conductive post
overlying a semiconductor region to form a structure, encapsulating the
structure and the conductive post to form a planarized cured passivation
layer, and exposing the conductive post through the planarized cured
passivation layer to form the semiconductor device.
Un método de fabricar un dispositivo de semiconductor de la heteroestructura de III-V. El método incluye los pasos de formar por lo menos un poste conductor que cubre una región de semiconductor para formar una estructura, el encapsulado de la estructura y del poste conductor para formar a planarized capa curada de la pasivación, y exponer el poste conductor con planarized capa curada de la pasivación para formar el dispositivo de semiconductor.
