A nonvolatile semiconductor memory device includes a NAND memory cell
array, booster circuit, row decoder, bit line control circuit and column
decoder. In the device, the magnitude of intermediate voltage applied to
the control gates of memory transistors from the booster circuit via the
row decoder is changed according to the position of a selected control
gate line when data is sequentially programmed into the memory transistors
in the memory cell array. Alternatively, a plurality of different
intermediate voltages are applied when data is simultaneously programmed
into memory transistors connected to the selected control gate line.
Een niet-vluchtig apparaat van het halfgeleidergeheugen omvat een NAND serie van de geheugencel, een hulpkring, een rijdecoder, een de controlekring van de beetjelijn en kolomdecoder. In het apparaat, wordt de omvang van middenvoltage die op de controlepoorten wordt toegepast van geheugentransistors van de hulpkring via de rijdecoder veranderd volgens de positie van een geselecteerde lijn van de controlepoort wanneer de gegevens in de geheugentransistors in de serie van de geheugencel opeenvolgend geprogrammeerd zijn. Alternatief, wordt een meerderheid van verschillende middenvoltages toegepast wanneer het gegeven gelijktijdig in geheugentransistors geprogrammeerd wordt die met de geselecteerde lijn van de controlepoort worden verbonden.
