In certain embodiments a plasma is supplied from a plasma chamber 10 into a
reaction chamber 18 of a plasma CVD apparatus. An electrode 22 is disposed
in the reaction chamber 18. A semiconductor wafer on which a thin film is
to be formed is placed on the electrode 22. A radio-frequency wave is
generated by a radio-frequency wave generator 28 and supplied to the
electrode 22 via a radio-frequency matching network 30, a blocking
capacitor 32, and an RF probe 34 so as to control the plasma in the plasma
chamber 10. A judgment device 38 is electrically connected to the RF probe
34. The voltage and current are be measured by the RF probe and the
judgment device 38 is used to judge the state of the plasma in the plasma
chamber 10.
Dans certaines incorporations un plasma est fourni à partir d'une chambre 10 de plasma dans une chambre 18 de réaction d'un appareillage de CVD de plasma. Une électrode 22 est disposée dans la chambre 18 de réaction. Une gaufrette de semi-conducteur sur laquelle une couche mince doit être formée est placée sur l'électrode 22. Une vague de radiofréquence est produite par un générateur 28 de vague de radiofréquence et fournie à l'électrode 22 par l'intermédiaire d'un réseau assorti 30 de radiofréquence, d'un condensateur de blocage 32, et d'une sonde 34 de rf afin de commander le plasma dans la chambre 10 de plasma. Un dispositif 38 de jugement est électriquement relié à la sonde 34 de rf. La tension et le courant sont soient mesurés par la sonde de rf et le dispositif 38 de jugement est utilisé pour juger l'état du plasma dans la chambre 10 de plasma.
