An object of the present invention is to prevent the deterioration of a TFT
(thin film transistor). The deterioration of the TFT by a BT test is
prevented by forming a silicon oxide nitride film between the
semiconductor layer of the TFT and a substrate, wherein the silicon oxide
nitride film ranges from 0.3 to 1.6 in a ratio of the concentration of N
to the concentration of Si.
Ένα αντικείμενο της παρούσας εφεύρεσης είναι να αποτραπεί η επιδείνωση ενός TFT (κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών). Η επιδείνωση του TFT από μια δοκιμή της BT αποτρέπεται με τη διαμόρφωση μιας ταινίας νιτριδίων οξειδίων πυριτίου μεταξύ του στρώματος ημιαγωγών του TFT και ενός υποστρώματος, όπου η ταινία νιτριδίων οξειδίων πυριτίου κυμαίνεται από 0,3 έως 1,6 σε αναλογία με της συγκέντρωσης του ν ως τη συγκέντρωση του Si.
