Semiconductor device and method for manufacturing the same

   
   

An object of the present invention is to prevent the deterioration of a TFT (thin film transistor). The deterioration of the TFT by a BT test is prevented by forming a silicon oxide nitride film between the semiconductor layer of the TFT and a substrate, wherein the silicon oxide nitride film ranges from 0.3 to 1.6 in a ratio of the concentration of N to the concentration of Si.

Ένα αντικείμενο της παρούσας εφεύρεσης είναι να αποτραπεί η επιδείνωση ενός TFT (κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών). Η επιδείνωση του TFT από μια δοκιμή της BT αποτρέπεται με τη διαμόρφωση μιας ταινίας νιτριδίων οξειδίων πυριτίου μεταξύ του στρώματος ημιαγωγών του TFT και ενός υποστρώματος, όπου η ταινία νιτριδίων οξειδίων πυριτίου κυμαίνεται από 0,3 έως 1,6 σε αναλογία με της συγκέντρωσης του ν ως τη συγκέντρωση του Si.

 
Web www.patentalert.com

< Apparatus for displaying a stereoscopic two-dimensional image and method therefor

< Apparatus and method for driving display panel

> Active matrix type display device

> Display device and method for driving the same

~ 00163