A multi-layer semiconductor diode having a layer of wide bandgap material
located between the active layer and a first contact zone, where the
active layer and additional wide bandgap layer are of one dopant type, and
the first contact zone is of the opposite dopant type. A specific
embodiment of the invention comprises a stack formed from a first contact
zone (4) of p-type material, a lightly doped p-type active layer (2), an
additional p layer (20) and a second contact zone (6) of n-type material.
The diode may be used as an infrared detector or a negative luminescent
source.
Een multi-layer halfgeleiderdiode die een laag van breed bandgapmateriaal heeft dat tussen de actieve laag en een eerste contactstreek wordt gevestigd, waar de actieve laag en de extra brede bandgaplaag één additieftype bedragen, en de eerste contactstreek is van het tegenovergestelde additieftype. Een specifieke belichaming van de uitvinding bestaat uit een stapel die van een eerste contactstreek (4) wordt gevormd van p-type materiaal, licht gesmeerde een p-type actieve laag (2), een extra plaag (20) en een tweede contactstreek (6) van n-type materiaal. De diode kan als infrarode detector of negatieve lichtende bron worden gebruikt.
