A process for the preparation of a silicon single ingot in accordance with
the Czochralski method. The process for growing the single crystal silicon
ingot comprises controlling (i) a growth velocity, v, (ii) an average
axial temperature gradient, G.sub.0, during the growth of a constant
diameter portion of the crystal over a temperature range from
solidification to a temperature of no less than about 1325.degree. C. to
initially produce in the constant diameter portion of the ingot a series
of predominant intrinsic point defects including vacancy dominated regions
and silicon self interstitial dominated regions, alternating along the
axis, and cooling the regions from the temperature of solidification at a
rate which allows silicon self-interstitial atoms to diffuse radially to
the lateral surface and to diffuse axially to vacancy dominated regions to
reduce the concentration intrinsic point defects in each region.
Ein Prozeß für die Vorbereitung eines einzelnen Barrens des Silikons in Übereinstimmung mit der Czochralski Methode. Der Prozeß für das Wachsen des Silikonbarrens des einzelnen Kristalles enthält das Steuern (i) einer Wachstumgeschwindigkeit, v, (ii) eine durchschnittliche axiale Temperatursteigung, G.sub.0, während des Wachstums eines konstanten Durchmesserteils des Kristalles über einer Temperaturspanne von der Verfestigung zu einer Temperatur ohne kleiner als über 1325.degree. C., zum im konstanten Durchmesserteil des Barrens ein Reihe überwiegende tatsächliche Punktdefekte einschließlich freie Stelle zuerst zu produzieren beherrschte Regionen und die Silikonselbstzwischenräumlichen vorherrsch Regionen, wechselnd entlang der Mittellinie und die Regionen von der Temperatur der Verfestigung mit einer Rate abkühlend, die Silikon Selbst-zwischenräumliche Atome zur seitlichen Oberfläche radial diffundieren und zur freien Stelle axial diffundieren läßt, beherrschten Regionen, um die Konzentration tatsächlichen Punktdefekte in jeder Region zu verringern.
