The invention provides a process for forming a low k fluorine and
carbon-containing silicon oxide dielectric material by reacting with an
oxidizing agent one or more silanes that include one or more organofluoro
silanes selected from: (a) an organofluoro silane containing two silicon
atoms linked by one oxygen atom; (b) an organofluoro silane containing two
silicon atoms linked by one or more carbon atoms, where the one or more
carbon atoms each are bonded to one or more fluorine atoms, or to one or
more organofluoro moieties, or to a combination thereof; and (c) an
organofluoro silane containing a silicon atom bonded to an oxygen atom.
The invention also provides a process for forming a low k fluorine and
carbon-containing silicon oxide dielectric material by reacting with an
oxidizing agent one or more silanes that include one or more organofluoro
silanes characterized by the presence of Si--O bonds.
A invenção fornece um processo dando forma a um fluorine baixo de k e carbono-contendo o material dieléctrico do óxido do silicone reagindo com um agente de oxidação um ou mais silanes que incluem um ou mais silanes do organofluoro selecionado de: (a) um silane do organofluoro que contem dois átomos do silicone ligou por um átomo de oxigênio; (b) um silane do organofluoro que contem dois átomos do silicone ligou por um ou mais átomo de carbono, onde o um ou os mais átomo de carbono cada um é ligado a um ou mais átomo do fluorine, ou a um ou mais moieties do organofluoro, ou a uma combinação disso; e (c) um silane do organofluoro que contem um átomo do silicone ligou-se a um átomo de oxigênio. A invenção fornece também um processo dando forma a um fluorine baixo de k e carbono-contendo o material dieléctrico do óxido do silicone reagindo com um agente de oxidação um ou mais silanes que incluem um ou mais silanes do organofluoro caracterizado pela presença do silicone -- O liga-se.
