There are provided a phase change-type memory element, which can reduce a
reset pulse current value necessary for returning the phase state from an
ON state to an OFF state, can improve integration density, is not
restricted by the process temperature at the time of the production
thereof, and can be simply produced, and a process for producing the same.
The phase change-type memory element comprises: two or more electrodes
provided opposite to each other through an insulating layer; an exposed
surface on which at least a part of the insulating layer and at least a
part of each of the electrodes are exposed; and a phase change recording
material layer provided, on the exposed surface, in contact with the at
least two electrodes. The production process of the phase change-type
memory element comprises the steps of: providing two or more electrodes
opposite to each other through an insulating material; forming an exposed
surface on which at least a part of the insulating material and at least a
part of each of the electrodes are exposed; and forming a phase change
recording material layer on the exposed surface so as to be in contact
with at least two of the electrodes.
Werden einem Phase Change-typegedächtniselement zur Verfügung gestellt, das einen gegenwärtigen Wert des Rücksetzimpulses verringern kann, der für den Phase Zustand von einem Zustand zu einem WEG Zustand AN zurückbringen notwendig ist, Integration Dichte verbessern kann, nicht durch die Prozeßtemperatur zu der Zeit der Produktion davon eingeschränkt wird und einfach produziert werden und ein Prozeß für das Produzieren dasselbe kann. Das Phase Change-typegedächtniselement enthält: zwei oder mehr Elektroden stellten gegenüber einander durch eine Isolierschicht zur Verfügung; eine herausgestellte Oberfläche, auf der mindestens ein Teil der Isolierschicht und mindestens ein Teil von jeder der Elektroden herausgestellt werden; und eine materielle Schicht des Phasenänderungsverfahrens stellte, auf der herausgestellten Oberfläche, in Verbindung mit den mindestens zwei Elektroden zur Verfügung. Der Produktion Prozeß des Phase Change-typegedächtniselements enthält die Schritte von: Zur Verfügung stellen von von zwei oder mehr Elektroden gegenüber einander durch ein isolierendes Material; Formung eine herausgestellte Oberfläche, auf der mindestens ein Teil des isolierenden Materials und mindestens ein Teil von jeder der Elektroden herausgestellt werden; und eine materielle Schicht des Phasenänderungsverfahrens auf der herausgestellten Oberfläche bildend, um in Verbindung mit zwei mindestens der Elektroden zu sein.
