Provided herein are vertical nanotube semiconductor devices and methods for
making the same. An embodiment of the semiconductor devices comprises a
vertical transistor/capacitor cell including a nanotube. The device
includes a vertical transistor and a capacitor cell both using a single
nanotube to form the individual devices.
Se qui sono i dispositivi ed i metodi verticali a semiconduttore del nanotube per fare lo stesso. Un incorporamento dei dispositivi a semiconduttore contiene una cellula verticale di transistor/capacitor compreso un nanotube. Il dispositivo include un transistore verticale e una cellula entrambi del condensatore che usando un singolo nanotube per formare i diversi dispositivi.
