An oxide etch process is described which may be used for emitter and base
preparation in bipolar SiGe devices. The low temperature process employed
produces electrical insulation between the emitter and base by a COR etch
which preserves insulating TEOS glass. The insulating TEOS glass provides
reduced capacitance and helps to achieve high speed. An apparatus is also
described for practicing the disclosed process.
Um processo gravura em àgua forte do óxido é descrito que possa ser usado para a preparação do emissor e da base em dispositivos bipolares de SiGe. O processo da temperatura baixa empregado produz a isolação elétrica entre o emissor e a base gravura em àgua forte do COR que preserva o vidro isolando de TEOS. O vidro isolando de TEOS fornece a capacidade reduzida e ajuda-a conseguir a alta velocidade. Um instrumento é descrito também praticando o processo divulgado.
