It is an object to obtain a semiconductor device including a capacitance
having a great Q-value. In an SOI substrate comprising a support substrate
(165), a buried oxide film (166) and an SOI layer (171), an isolating
oxide film 167 (167a to 167c) is selectively formed in an upper layer
portion of the SOI layer (171) with a part of the SOI layer (171)
remaining as a P.sup.- well region (169). Consequently, an isolation
(partial isolation) structure is obtained. An N.sup.+ diffusion region
(168) is formed in the SOI layer (171) between the isolating oxide films
(167a) and (167b) and a P.sup.+ diffusion region (170) is formed in the
SOI layer (171) between the isolating oxide films (167b) and (167c).
Consequently, there is obtained a junction type variable capacitance (C23)
having a PN junction surface of the P.sup.- well region (169) provided
under the isolating oxide film (167b) and the N.sup.+ diffusion region
(168).
Es ist ein Gegenstand, zum eines Halbleiterelements einschließlich eine Kapazitanz zu erhalten, die einen großen Q-Wert hat. In einem SOI Substrat, das ein Unterstützungssubstrat (165) enthält, wird ein begrabener Oxidfilm (166) und eine SOI Schicht (171), ein lokalisierender Oxidfilm 167 (167a zu 167c) selektiv in einem oberen Schichtteil der SOI Schicht (171) mit einem Teil der SOI Schicht (171) restlich als P.sup. - wohle Region (169) gebildet. Infolgedessen wird eine Lokalisierung (teilweise Lokalisierung) Struktur erhalten. Eine N.sup.+ Diffusion (Zerstäubung) Region (168) wird in der SOI Schicht (171) zwischen den lokalisierenden Oxidfilmen (167a) und (167b) und einer P.sup.+ Diffusion (Zerstäubung) Region (170) wird gebildet in der SOI Schicht (171) zwischen den lokalisierenden Oxidfilmen (167b) gebildet und (167c). Infolgedessen wird einer Verzweigung Art der variablen Kapazitanz (C23) eine PN aktive Fläche des P.sup. - die wohle Region (169) bereitgestellt unter dem lokalisierenden Oxidfilm (167b) und die N.sup.+ Diffusion (Zerstäubung) Region (168) habend erreicht.
