Disclosed is a semiconductor integrated circuit realizing improved
operating speed, reduced power consumption in an active mode, reduced
power consumption in a standby mode, and reduced area of a chip. A first
logic gate using a first pair of potentials VDDL, VSSL having a relatively
small potential difference as an operation power source and a second logic
gate using a second pair of potentials VDDH, VSSH having a relatively
large potential difference as an operation power source commonly use
substrate potentials VBP, VBN of MIS transistors. The second logic gate
has a relatively high driving capability, and the first logic gate can
operate on relatively low power. The MIS transistor has a threshold
voltage which increases by a reverse substrate bias and decreases by a
forward substrate bias. By commonly using the substrate potential, even in
the case where different substrate bias states are generated at both of
the logic gates, MOS transistors of the logic gates can be formed in the
common well region.
Αποκαλύπτεται ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα ημιαγωγών που πραγματοποιεί τη βελτιωμένη λειτουργούσα ταχύτητα, τη μειωμένη κατανάλωση ισχύος σε έναν ενεργό τρόπο, τη μειωμένη κατανάλωση ισχύος σε έναν εφεδρικό τρόπο, και τη μειωμένη περιοχή ενός τσιπ. Μια πρώτη πύλη λογικής που χρησιμοποιεί ένα πρώτο ζευγάρι των δυνατοτήτων VDDL, VSSL που έχουν μια σχετικά μικρή πιθανή διαφορά ως πηγή ενέργειας λειτουργίας και δεύτερη πύλη λογικής που χρησιμοποιούν ένα δεύτερο ζευγάρι των δυνατοτήτων VDDH, VSSH που έχουν μια σχετικά μεγάλη πιθανή διαφορά ως δυνατότητες VBP, VBN λειτουργίας ενέργειας πηγής συνήθως χρήσης υποστρωμάτων των κρυσταλλολυχνιών ΠΣΔ. Η δεύτερη πύλη λογικής έχει μια σχετικά υψηλή οδηγώντας ικανότητα, και η πρώτη πύλη λογικής μπορεί να λειτουργήσει στη σχετικά χαμηλή δύναμη. Η κρυσταλλολυχνία ΠΣΔ έχει μια τάση κατώτατων ορίων που αυξάνεται από μια αντίστροφη προκατάληψη υποστρωμάτων και μειώνεται από μια μπροστινή προκατάληψη υποστρωμάτων. Με συνήθως να χρησιμοποιήσουν τη δυνατότητα υποστρωμάτων, ακόμη και στην περίπτωση όπου τα διαφορετικά προκατειλημμένα κράτη υποστρωμάτων παράγονται και σοι δύο από τις πύλες λογικής, οι κρυσταλλολυχνίες MOS των πυλών λογικής μπορούν να διαμορφωθούν στην κοινή καλά περιοχή.
