A method of making a bi-directional transient voltage suppression device is
provided, which comprises: (a) providing a p-type semiconductor substrate;
(b) epitaxially depositing a lower semiconductor layer of p-type
conductivity; (c) epitaxially depositing a middle semiconductor layer of
n-type conductivity over the lower layer; (d) epitaxially depositing an
upper semiconductor layer of p-type conductivity over the middle layer;
(e) heating the substrate, the lower epitaxial layer, the middle epitaxial
layer and the upper epitaxial layer; (f) etching a mesa trench that
extends through the upper layer, through the middle layer and through at
least a portion of the lower layer, such that the mesa trench defines an
active area for the device; and (g) thermally growing an oxide layer on at
least those portions of the walls of the mesa trench that correspond to
the upper and lower junctions of the device.
Обеспечен метод делать bi-directional переходное приспособление подавления напряжения тока, которое состоит из: (a) обеспечивать субстрат полупроводника п-tipa; (b) эпитаксиально депозировать более низкий слой полупроводника проводимости п-tipa; (c) эпитаксиально депозировать средний слой полупроводника проводимости н-tipa над более низким слоем; (d) эпитаксиально депозировать верхний слой полупроводника проводимости п-tipa над средним слоем; (e) нагревать субстрат, более низкий эпитаксиальный слой, средний эпитаксиальный слой и верхний эпитаксиальный слой; (f) вытравляющ шанец проходит через верхний слой, через средний слой и через по крайней мере часть более низкого слоя, такое мезы что шанец мезы определяет активно зону для приспособления; и (g) термально слой окиси на по крайней мере тех частях стен шанца мезы соответствуют к верхним и более низким соединениям приспособления.
