Silicon wafer and silicon epitaxial wafer and production methods therefor

   
   

The present invention provides a silicon wafer having a DZ layer near a surface and an oxide precipitate layer in a bulk portion, wherein interstitial oxygen concentrations of the DZ layer, the oxide precipitate layer and a transition region between the DZ layer and the oxide precipitate layer are all 8 ppma or less, and an epitaxial silicon wafer, wherein an epitaxial layer is formed on a surface of the silicon wafer, as well as a method for producing a silicon wafer, which comprises growing a silicon single crystal ingot having an initial interstitial oxygen concentration of 10 to 25 ppma by the Czochralski method, processing the silicon single crystal ingot into a wafer, and subjecting the wafer to a first heat treatment at 950 to 1050.degree. C. for 2 to 5 hours, a second heat treatment at 450 to 550.degree. C. for 4 to 10 hours, a third heat treatment at 750 to 850.degree. C. for 2 to 8 hours, and a fourth heat treatment at 950 to 1100.degree. C. for 8 to 24 hours. Thus, there is provided a method for producing a silicon wafer of which high resistivity can surely be maintained even when the wafer is subjected to a heat treatment for device production.

De onderhavige uitvinding verstrekt een siliciumwafeltje een laag van DZ dichtbij een oppervlakte en een laag van het oxydeprecipitaat in een bulkgedeelte hebben, waarin de tussenliggende zuurstofconcentraties van de laag van DZ, de laag van het oxydeprecipitaat en een overgangsgebied tussen de laag van DZ en de laag van het oxydeprecipitaat alle ppma 8 of minder zijn, en een epitaxial siliciumwafeltje, waarin een epitaxial laag op een oppervlakte van het siliciumwafeltje wordt gevormd, evenals een methode die om een siliciumwafeltje te produceren, dat uit het kweken van een baar die van het silicium enige kristal een eerste tussenliggende zuurstofconcentratie van ppma 10 hebben bestaat tot 25 door de methode Czochralski, verwerkend de baar van het silicium enige kristal in een wafeltje er and a transition region between the DZ layer and the oxide precipitate layer are all 8 ppma or less, and an epitaxial silicon wafer, wherein an epitaxial layer is formed on a surface of the silicon wafer, as well as a method for producing a silicon wafer, which comprises growing a silicon single crystal ingot having an initial interstitial oxygen concentration of 10 to 25 ppma by the Czochralski method, processing the silicon single crystal ingot into a wafer, and subjecting the wafer to a eerste thermische behandeling bij 950 aan 1050.degree. C. 2 tot 5 uren, een tweede thermische behandeling bij 450 aan 550.degree. C. 4 tot 10 uren, een derde thermische behandeling bij 750 aan 850.degree. C. 2 tot 8 uren, en een vierde thermische behandeling bij 950 aan 1100.degree. C. 8 tot 24 uren. Aldus, er verstrekt een methode wordt om een siliciumwafeltje te produceren waarvan het hoge weerstandsvermogen zeker kan worden gehandhaafd zelfs wanneer het wafeltje aan een thermische behandeling voor apparatenproductie wordt onderworpen.

 
Web www.patentalert.com

< Reagent container

< System for interfacing an application program with diverse databases

> Remote object access

> Array waveguide diffraction grating type optical multiplexer/demultiplexer

~ 00164