According to the present invention, an impurity region, to which a rare gas
element (also called a rare gas) and one kind or a plurality of kinds of
elements selected from the group consisting of H, H.sub.2, O, O.sub.2, and
P are added, are formed in a semiconductor film having a crystalline
structure, using a mask, and gettering for segregating a metal element
contained in the semiconductor film to the impurity region by heat
treatment. Thereafter, pattering is conducted using the mask, whereby a
semiconductor layer made of the semiconductor film having a crystalline
structure is formed.
De acordo com a invenção atual, uma região da impureza, a que um elemento raro do gás (chamado também um gás raro) e um amável ou um plurality dos tipos dos elementos selecionados do grupo que consiste em H, em H.sub.2, em O, em O.sub.2, e em P são adicionados, são dados forma em uma película do semicondutor que tem uma estrutura cristalina, usando uma máscara, e gettering para segregar um elemento do metal contido na película do semicondutor à região da impureza pelo tratamento de calor. Depois disso, tamborilar é conduzido usando a máscara, por meio de que uma camada do semicondutor feita da película do semicondutor que tem uma estrutura cristalina é dada forma.
