There is disclosed a write operation of a MRAM in which a current necessary
for inverting magnetization of an MTJ element has to be passed through a
data line and therefore current consumption is large. The write operation
comprises: comparing input data DI with read data GO read from a memory
cell array and encoding the input data DI to form write data GI by a data
encoder WC; and decoding the read data GO by a data decoder RD to form
output data DO. In a nonvolatile semiconductor memory in which the current
is passed through the data line to write data into a memory cell, the
number of bits to be written during the write operation is reduced, and
the current consumption can be reduced. This can realize the MRAM
including a low-power highly-integrated memory.
Er worden onthuld verrichting van een MRAM schrijf waarin een stroom noodzakelijk voor het omkeren van magnetisering van een element MTJ door een gegevenslijn moet worden overgegaan en daarom de huidige consumptie groot is. Schrijf de verrichting bestaat uit: vergelijkend inputgegevens GAAN Di met gelezen gegevens die van een serie worden gelezen van de geheugencel en coderend Di van inputgegevens aan vorm schrijf gegevensgi door een WC van de gegevenscodeur; en decoderend de gelezen gegevens GA door een gegevensdecoder RD outputgegevens vormen. In een niet-vluchtig halfgeleidergeheugen waarin de stroom door de gegevenslijn wordt overgegaan om gegevens in een geheugencel te schrijven, schrijft het aantal beetjes die tijdens moeten worden geschreven de verrichting wordt verminderd, en de huidige consumptie kan worden verminderd. Dit kan MRAM met inbegrip van een low-power hoogst-geïntegreerd geheugen realiseren.
