A method to extend the process monitoring capabilities of a semiconductor
wafer optical inspection system so as to be able to detect low-resolution
effects of process variations over the surface of a wafer at much higher
sensitivity than heretofore possible. The method consists, in essence, of
grouping sensed pixels by geometric blocks over the inspected surface and
comparing each block with a corresponding one from another die on the same
wafer, from another wafer or from a stored model image. In one embodiment
of the invention, pixel values are compared directly and differences are
thresholded at a considerably lower level than during a defects detection
process. In another embodiment, there is calculated a signature for each
block, based on the sensed light intensity values, and corresponding
signatures are compared.
Een methode om de proces controlemogelijkheden van een optisch de inspectiesysteem van het halfgeleiderwafeltje uit te breiden om laag-resolutiegevolgen van procesvariaties over de oppervlakte van een wafeltje bij veel hogere gevoeligheid kunnen hierboven ontdekken dan mogelijk. De methode bestaat, in wezen, uit de groepering van ontdekte pixel door geometrische blokken over de geïnspecteerde oppervlakte en het vergelijken van elk blok met overeenkomstige van een andere matrijs op het zelfde wafeltje, van een ander wafeltje of van een opgeslagen modelbeeld. In één belichaming van de uitvinding, worden de pixelwaarden direct vergeleken en de verschillen zijn thresholded op aanzienlijk lager niveau dan tijdens een proces van de tekortenopsporing. In een andere belichaming, er berekend een handtekening wordt voor elk blok, dat op de ontdekte lichtintensiteitwaarden wordt gebaseerd, en de overeenkomstige handtekeningen worden vergeleken.
