The semiconductor laser of this invention includes an active layer formed
in a c-axis direction, wherein the active layer is made of a
hexagonal-system compound semiconductor, and anisotropic strain is
generated in a c plane of the active layer.
Der Halbleiterlaser dieser Erfindung schließt eine aktive Schicht ein, die in einer Cmittellinie Richtung gebildet wird, worin die aktive Schicht von einem Sechseckigsystem Verbindungshalbleiter gebildet wird, und anisotrope Belastung wird in einer c Fläche der aktiven Schicht erzeugt.
