A semiconductor memory device includes a first nonvolatile memory cell, a
bit line connected to the first nonvolatile memory cell, and a control
circuit connected to the first nonvolatile memory cell and the bit line,
and disposed and configured in such a manner as to reset the bit line to a
predetermined first potential state only for a certain period "a" of time
in response to transition of an input address signal. The first
nonvolatile memory cell has a gate electrode formed on a semiconductor
layer via a gate insulating film; a channel region disposed under the gate
electrode; diffusion regions disposed on both sides of the channel region
and having a conductive type opposite to that of the channel region; and
memory functional units formed on both sides of the gate electrode and
having the function of retaining charges.
Een apparaat van het halfgeleidergeheugen omvat een eerste niet-vluchtig geheugencel, een beetjelijn die met de eerste niet-vluchtig geheugencel wordt verbonden, en een controlekring die met de eerste niet-vluchtig geheugencel en de beetjelijn wordt, en die in een dergelijke manier wordt geschikt verbonden en wordt gevormd om de beetjelijn aan een vooraf bepaalde eerste potentiële staat slechts voor een bepaalde tijdspanne "a" in antwoord op overgang van een signaal van het inputadres terug te stellen. De eerste niet-vluchtig geheugencel heeft een poortelektrode die op een halfgeleiderlaag wordt gevormd via een poort isolerende film; een kanaalgebied schikte onder de poortelektrode; de verspreidings gebieden schikten aan beide kanten van het kanaalgebied en het hebben van een geleidend type tegengesteld aan dat van het kanaalgebied; en vormden de geheugen functionele eenheden zich aan beide kanten van de poortelektrode en het hebben van de functie van het behouden van lasten.
