A method for preparing zinc oxide semiconductor material in which an
organometallic compound containing zinc as a metal composition is
introduced into a reaction chamber and the zinc-containing organic
compound is vaporized to effect a specific decomposition reaction on a
substrate, thereby forming a zinc oxide semiconductor material on the
substrate. The zinc-containing organic compound employed is one having a
low reactivity with oxygen in a vapor phase under the temperature
atmosphere in the reaction chamber.
Un método para preparar el material del semiconductor del óxido del cinc en el cual un cinc que contiene compuesto organometallic como composición del metal se introduce en un compartimiento de la reacción y el compuesto orgánico cinc-que contiene se vaporiza para efectuar una reacción específica de la descomposición en un substrato, de tal modo formando un material del semiconductor del óxido del cinc en el substrato. El compuesto orgánico cinc-que contiene empleado es uno que tiene una reactividad baja con oxígeno en una fase del vapor bajo atmósfera de la temperatura en el compartimiento de la reacción.
