A spin valve transistor, magnetic reproducing head including a spin valve
transistor and a magnetic information storage system having the spin valve
transistor. The spin valve transistor has a collector, a base formed on
the collector, a tunnel barrier layer formed on the base and an emitter
formed on the tunnel barrier layer. In one embodiment, the collector may
have a first semiconductor layer of first composition and a second
semiconductor layer of a different composition epitaxially grown. The base
of the first spin valve transistor may be formed on the second
semiconductor layer and have a magnetization pinned layer having a
magnetization substantially fixed in an applied magnetic field, a
nonmagnetic layer and a magnetization free layer having a magnetization
free to rotate under the applied magnetic field. The emitter of a spin
valve transistor of a second embodiment may include a semiconductor layer
containing an oxide of transitional metal and contacting the tunnel
barrier layer.
Un transistor de valve de rotation, une tête se reproduisante magnétique comprenant un transistor de valve de rotation et un système magnétique de stockage de l'information ayant le transistor de valve de rotation. Le transistor de valve de rotation a un collecteur, une base formée sur le collecteur, une couche-barrière de tunnel formée sur la base et un émetteur formé sur la couche-barrière de tunnel. Dans une incorporation, le collecteur peut avoir une première couche de semi-conducteur de la première composition et une deuxième couche de semi-conducteur de composition différente épitaxial développée. La base du premier transistor de valve de rotation peut être formée sur la deuxième couche de semi-conducteur et avoir une couche goupillée par magnétisation avoir une magnétisation sensiblement fixée dans un champ magnétique appliqué, une couche non magnétique et une magnétisation posent librement avoir une magnétisation libre pour tourner sous le champ magnétique appliqué. L'émetteur d'un transistor de valve de rotation d'une deuxième incorporation peut inclure une couche de semi-conducteur contenant un oxyde de métal transitoire et entrant en contact avec la couche-barrière de tunnel.
