Doped aluminum oxide layers having a porous aluminum oxide layer and
methods of their fabrication. The porous aluminum oxide layer may be
formed by evaporation physical vapor deposition techniques to facilitate
formation of a high-purity aluminum oxide layer. A dopant material is
embedded in the pores of the porous aluminum oxide layer and subsequently
converted to a dielectric form. The degree of porosity of the porous
aluminum oxide layer may be controlled during formation to facilitate
control of the level of doping of the doped aluminum oxide layer. Such
doped aluminum oxide layers are useful as gate dielectric layers,
intergate dielectric layer and capacitor dielectric layers in various
integrated circuit devices.
Camadas doped do óxido de alumínio que têm uma camada porosa do óxido de alumínio e métodos de sua fabricação. A camada porosa do óxido de alumínio pode ser dada forma por técnicas físicas do deposition do vapor da evaporação para facilitar a formação de uma camada high-purity do óxido de alumínio. Um material do dopant é encaixado nos pores da camada porosa do óxido de alumínio e convertido subseqüentemente a um formulário dieléctrico. O grau de porosidade da camada porosa do óxido de alumínio pode ser controlado durante a formação facilitar o controle do nível de doping da camada doped do óxido de alumínio. Tais camadas doped do óxido de alumínio são úteis como camadas dieléctricas da porta, a camada dieléctrica do intergate e camadas dieléctricas do capacitor em vários dispositivos do circuito integrado.
