A heterogeneous device comprises a substrate and a plurality of
heterogeneous circuit devices defined in the substrate. In embodiments, a
plurality of heterogeneous circuit devices are integrated by successively
masking and ion implanting the substrate. The heterogeneous device may
further comprise at least one microelectromechanical system-based element
and/or at least one photodiode. In embodiments, the heterogeneous circuit
devices comprise at least one CMOS transistor and at least one DMOS
transistor. In embodiments, the substrate comprises a layer of silicon or
a layer of p-type silicon. In other embodiments, the substrate comprises a
silicon-on-insulator wafer comprising a single-crystal-silicon layer or a
single-crystal-P-silicon layer, a substrate and an insulator layer
therebetween.
Un dispositivo heterogéneo abarca un substrato y una pluralidad de los dispositivos heterogéneos del circuito definidos en el substrato. En encarnaciones, una pluralidad de dispositivos heterogéneos del circuito es integrada por sucesivamente enmascarar y el ion que implantan el substrato. El dispositivo heterogéneo puede abarcar más lejos por lo menos un elemento sistema-basado microelectromechanical y/o por lo menos un fotodiodo. En encarnaciones, los dispositivos heterogéneos del circuito abarcan por lo menos un transistor del Cmos y por lo menos un transistor de DMOS. En encarnaciones, el substrato abarca una capa del silicio o una capa del p-tipo silicio. En otras encarnaciones, el substrato abarca una oblea del silicio-en-aislador que abarca una capa del solo-cristal-silicio o una capa del solo-cristal-P-silicio, un substrato y una capa del aislador therebetween.
